最先端化合物半導体プロセスを用いた超高速IC技術のオープン化

3．技術のポイント

世界トップレベルの動作速度を有する化合物半導体R&Dプロセスを用いた超高速ICを実現できます。例えば、シリコンCMOSを凌駕するfT^*8/fmax^*9 = 400/450GHz の特性を有するInP HBT^*5によるシリコン技術の倍の広帯域特性のICなど、シリコンではできない超高速アナログICが実現可能です。

4．今後の予定

2017年にトライアルおよびパートナの募集を行い、2018年にパートナとなる皆さまへのPDK配布を開始、2019年に最先端の化合物半導体R&DプロセスによるIC試作開始を想定しています。

用語解説

^*1CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）：
相補型金属酸化膜半導体。半導体集積回路を実現する構造としてCPUなど大規模な機能を実現する場合に用いられます。大容量光伝送の送受信では信号量が多いためこのタイプの回路が多く用いられます。微細化により高速化が進んでいますが、高速性や高出力性の面では化合物半導体の方がすぐれています。

^*2InP：
リン化インジウム。インジウムとリンからなるIII-V族の化合物半導体。高速性や高出力性が求められるアプリケーション向けの機能を実現する場合に用いられます。

^*3ポストムーア：
半導体技術の進展が進み、「ムーアの法則」の適用ができなくなった時代。

^*4ジョンソンの性能指数：
半導体の性能を表す指標の一つ。大きいほど、高速性や高出力性に優れる。

^*5HBT（Heterojunction Bipolar Transistor）：
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

^*6HEMT（High Electron Mobility Transistor）：
高電子移動度トランジスタ。

^*7PDK（Process Design Kit）：
プロセスデザインキット。ICの設計に必要な情報をまとめたもの。

^*8fT：
電流利得遮断周波数。

^*9fmax：
電力利得遮断周波数。