２０２５―２００３ PLマッパー

PLマッパー

国調２０２５―２００３ 号

２０２５年６月１０日

２０２５年 ７月１０日 １５時

メンブレン化合物半導体デバイスの特性は、結晶成長時に得られた活性層の組成、構造、欠陥に大きく左右される。本装置は、半導体の組成、構造、欠陥に感度のあるフォトルミネッセンス（PL）特性を評価することを目的としており、ウエハ全面を高精細かつ高速に測定できることが求められる。要求仕様は以下の通りとして、提案募集を実施する。 ①ウエハ接合に用いる2", 3", 4"ウエハに加えて、8"ウエハ上へTPしたサンプルの評価も行えるようにする。 ②デバイスを構成する各層のバンドギャップ波長（1.2～1.65 μm）にピークを有するスペクトルを評価するため、2 μmに対応するEx-InGaAs検出器が必要となる。 ③高い測定スループットが求められる。実際のスループットは露光時間や検出器の読み出し時間等に依存するため、納入品とほぼ同等の仕様での実機デモができることが望ましい。 ④接合時のボイド低減、プロセス時のパタンボケ防止のため、ウエハの反りを測定できることが望ましい。

(1)配布サプライヤ
　　本提案募集に参加する意思のあるサプライヤに限ります。
(2)配布期間
　　提案募集日から申請締切日までとします。
(3)配付方法
　　本案件はメールでの配布とします。

日本電信電話株式会社 情報ネットワーク総合研究所 企画部 総務経理グループ 会計契約担当
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